特許
J-GLOBAL ID：200903063699559498
磁気抵抗効果型読み取り変換器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-221099
公開番号（公開出願番号）：特開平6-068430
出願日： 1992年08月20日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】MR素子の有効幅をMR素子の特性を劣化させずに正確に規定でき狭トラック化、高記録密度化に適合できる磁気抵抗効果型読み取り変換器の提供。【構成】MR素子1と、その上に設けた交換バイアス層2と、磁界検出のため作用せしめるMR素子1の能動領域5に接する交換バイアス層2の第1の部分の膜厚は能動領域5の両側にある受動領域に接する交換バイアス層2の第2の部分の膜厚より薄く予じめ定めた一定値以下の膜厚を有し、交換バイアス層2の第2の部分上に縁部が配置されている分離した一対の導電体3とを有している。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子上に設けた磁気抵抗変換効率向上用交換結合バイアス印加用反強磁性層と、磁界検出のため作用せしめる前記磁気抵抗効果素子の能動領域である第1の部分に接する前記磁気抵抗変換効率向上用交換結合バイアス印加用反強磁性層の第1の部分の膜厚は前記磁気抵抗効果素子の第1の部分の両側にある受動領域である第2の部分に接する前記磁気抵抗変換効率向上用交換結合バイアス印加用反強磁性層の第2の部分の膜厚より薄く予じめ定めた一定値以下の膜厚を有し、前記磁気抵抗変換効率向上用交換結合バイアス印加用反強磁性層の第2の部分上に縁部が配置されている分離した一対の導電体とを有することを特徴とする磁気抵抗効果型読み取り変換器。
IPC (2件)：
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