特許
J-GLOBAL ID：200903063699753588
厚膜パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土井 育郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-173582
公開番号（公開出願番号）：特開平9-029638
出願日： 1995年07月10日
公開日（公表日）： 1997年02月04日
要約：
【要約】【目的】 サンドブラスト法により厚膜パターンを形成するに際し、工程の簡略化を図ると共に、サンドブラストによる他の構成材料へのダメージを軽減し、また研削容易性と良好な仕上がりパターンを両立させる。【構成】 無機粉体と樹脂バインダーとを主成分とするパターン形成材料からなるパターン形成層12を対象物10上に形成し、該パターン形成層12上にレジストマスク13を印刷法により形成した後、レジストマスク13の開口部に対応するパターン形成材料をサンドブラスト法により除去してから、焼成によりレジストマスク13を剥離すると同時にパターン形成材料を焼結する。レジストマスクを剥離する工程が省略される。研削が容易で機械的強度が低いパターン形成材料を用いることが可能となり、サンドブラストによる他の構成物へのダメージが軽減できる。
請求項（抜粋）：
無機粉体と樹脂バインダーとを主成分とするパターン形成材料からなるパターン形成層を対象物上に形成する工程と、該パターン形成層上にレジストマスクを印刷法により形成する工程と、該レジストマスクの開口部に対応するパターン形成材料をサンドブラスト法により除去する工程と、焼成によりレジストマスクを剥離すると同時にパターン形成材料を焼結する工程とを含む厚膜パターン形成方法。
IPC (2件)：
B24C 1/04
, H04N 5/66 101
B24C 1/04
, H04N 5/66 101 Z
