特許
J-GLOBAL ID:200903063703141681
撮像装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉武 賢次 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-138921
公開番号(公開出願番号):特開2003-325495
出願日: 2002年05月14日
公開日(公表日): 2003年11月18日
要約:
【要約】【課題】 X線が連続照射されても良好な画像を得ることを可能とする。【解決手段】 X線を電荷に変換する光電変換膜103と、ゲートが対応する走査線に接続されソースが光電変換膜に接続されドレインが対応する信号線に接続されるスイッチング素子101と、光電変換膜とスイッチング素子に接続され光電変換膜で発生された電荷を蓄積する蓄積素子102と、走査線を駆動する走査線駆動回路110と、信号線に接続され蓄積素子に蓄積された電荷を読み取る信号検出回路111と、を備え、走査線駆動回路は、スイッチング素子をオフ状態とする走査線電圧を少なくとも2種類出力する。
請求項(抜粋):
複数の信号線と、複数の信号線と交差する複数の走査線と、前記信号線と前記走査線との交差点毎に設けられ、X線を電荷に変換する光電変換膜と、ゲートが対応する走査線に接続されソースが前記光電変換膜に接続されドレインが対応する信号線に接続されるトランジスタからなるスイッチング素子と、前記光電変換膜と前記スイッチング素子に接続され前記光電変換膜で発生された電荷を蓄積する蓄積素子とを有する画素と、前記走査線を駆動する走査線駆動回路と、前記信号線に接続され前記蓄積素子に蓄積された電荷を読み取る信号検出回路と、を備え、前記蓄積素子に電荷が蓄積されると前記スイッチング素子のゲート・ソース間電圧の絶対値が小さくなるよう前記光電変換膜および前記スイッチング素子の電位が設定され、前記走査線駆動回路は、前記スイッチング素子をオフ状態とする走査線電圧を少なくとも2種類出力することを特徴とする撮像装置。
IPC (6件):
A61B 6/00 300
, A61B 6/03 320
, H01L 27/14
, H01L 27/146
, H01L 31/09
, H04N 5/32
FI (6件):
A61B 6/00 300 S
, A61B 6/03 320 R
, H04N 5/32
, H01L 27/14 K
, H01L 27/14 A
, H01L 31/00 A
Fターム (33件):
4C093AA22
, 4C093CA01
, 4C093EB13
, 4C093EB17
, 4M118AA05
, 4M118AA08
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118DB11
, 4M118DD09
, 4M118FB03
, 4M118FB09
, 4M118FB13
, 4M118FB16
, 4M118GA10
, 5C024AX12
, 5C024CX03
, 5C024GX03
, 5C024GZ04
, 5C024GZ20
, 5C024GZ22
, 5C024HX17
, 5C024HX31
, 5C024HX35
, 5C024HX40
, 5F088AA11
, 5F088BA03
, 5F088BB03
, 5F088EA04
, 5F088EA08
, 5F088KA08
, 5F088LA08
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