特許

J-GLOBAL ID：200903063703617260

半導体製造装置のクリーニング方法

発明者： 飯塚 勝彦 ,  佐藤 高雅
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-291689
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129246
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体製造装置の処理室内に処理により生じた残留物を除去するクリーニング方法に関し、半導体製造装置の処理室内に処理により生じた残留物を効率よく除去することにより、半導体製造装置の稼働率を向上するとともに微細加工を精度の良く行うことができる半導体製造装置のクリーニング方法を提供することを目的とする。【構成】半導体製造装置の処理室1内に処理により生じた残留物をCHF3+O2 の混合ガスを活性化した反応ガスを用いて除去することを含み構成する。

請求項（抜粋）：

半導体製造装置の処理室内に処理により生じた残留物をCHF3 +O2 の混合ガスを活性化した反応ガスを用いて除去することを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。