特許
J-GLOBAL ID：200903063704030549
新規なベンゾピラン誘導体、これを用いたレジスト材料及びこのレジスト材料を用いたパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-183020
公開番号（公開出願番号）：特開平5-194472
出願日： 1992年06月17日
公開日（公表日）： 1993年08月03日
要約：
【要約】【構成】 一般式(1)【化1】で示されるベンゾピラン誘導体、及びこれを溶解阻害化合物として用いた3成分系レジスト材料、並びにこのレジスト材料を用いたパターン形成方法。【効果】 一般式(1)で示される本発明の新規なベンゾピラン誘導体は3成分系レジスト材料の溶解阻害化合物として極めて有用であり、これを含むレジスト材料を300nm以下の光源、例えば遠紫外光(Deep UV)、例えばKrFエキシマレーザ光(248.4nm)等の露光用レジスト材料として用いた場合には、露光からベーク(加熱処理)までの時間経過に対して安定したパターン寸法の維持が可能な、実用的なサブミクロン〜クォーターミクロンオーダーの形状の良い微細なパターンが得られる。従って本発明は、半導体産業等に於ける超微細パターンの形成にとって大きな価値を有するものである。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)【化1】[式中、R1は炭素数3〜8の分枝状又は環状のアルキル基、炭素数3〜8の直鎖状又は分枝状のアルコキシアルキル基、テトラヒドロピラニル基又はトリメチルシリル基を表わし、R2は水素原子、炭素数3〜8の分枝状又は環状のアルキル基、炭素数3〜8の直鎖状又は分枝状のアルコキシアルキル基、テトラヒドロピラニル基又はトリメチルシリル基を表わし、R3は水素原子、メチル基又はエチル基を表わし、R4、R5、R6及びR7は夫々独立して水素原子又は炭素数1〜5の直鎖状又は分枝状のアルキル基を表わす。]で示されるベンゾピラン誘導体。
IPC (15件)：
C07D311/58
, C07D407/12 309
, C07D407/14 309
, C07F 7/18
, C08K 5/15 KFY
, C08L 25/04
, C08L 25/18 LEK
, C08L 61/06 LMR
, G03F 7/004 503
, G03F 7/004 531
, G03F 7/039 501
, G03F 7/16
, H01L 21/027
, H01L 21/312
, H01L 21/47
H01L 21/30 361 G
, H01L 21/30 361 L
