特許
J-GLOBAL ID:200903063706674052
基板処理装置及び基板処理方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石戸 久子 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-168313
公開番号(公開出願番号):特開2000-355766
出願日: 1999年06月15日
公開日(公表日): 2000年12月26日
要約:
【要約】【課題】 スリップ発生要因であるサセプタのたわみとうねりとザグリ加工精度不足に起因するウェハの温度均一性の悪化を防止し、且つウェハ内温度均一性悪化による膜厚、抵抗率均一性悪化を改善する。【解決手段】 この基板処理装置は、第1のサセプタ16と、第1のサセプタ16上に設けられ、表裏面のそれぞれに凹部31,32を有する第2のサセプタ17とを備え、第2のサセプタ17の表面凹部31にウェハ5を載置して加熱処理するようにした。
請求項(抜粋):
第1のサセプタと、前記第1のサセプタ上に設けられ、表裏面のそれぞれに凹部を有する第2のサセプタとを備え、前記第2のサセプタの表面凹部に基板を載置して加熱処理する基板処理装置。
IPC (3件):
C23C 16/44
, C30B 25/14
, H01L 21/205
FI (3件):
C23C 16/44 H
, C30B 25/14
, H01L 21/205
Fターム (14件):
4G077AA03
, 4G077DB01
, 4G077DB15
, 4G077EG03
, 4G077TG07
, 4K030BB02
, 4K030CA12
, 4K030FA10
, 4K030GA02
, 4K030KA46
, 5F045BB02
, 5F045BB13
, 5F045EM02
, 5F045EM09
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