特許
J-GLOBAL ID：200903063706785857
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-221574
公開番号（公開出願番号）：特開平9-023009
出願日： 1995年08月30日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：
【要約】【課題】 リソグラフィ、露光照明系、レジスト、マスク技術、或いはマスクパターン設計技術によらずに、簡易且つ効果的にゲート電極端部の丸まりや細りを抑制し、微細化および高信頼性が期待できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 素子分離領域上にゲート電極の端部が形成される半導体装置をフォトリソグラフィを用いて製造する方法において、マスク上の前記ゲート電極の端部に対応する部分のチャネル方向の幅が、活性領域上に位置するゲート電極のチャネル方向の幅を越えた大きさにレイアウトされたマスク8を用いて露光する工程を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
素子分離領域上にゲート電極の端部が形成される半導体装置をリソグラフィにより製造する方法において、マスク上の前記ゲート電極の端部に対応する部分のチャネル方向の幅が、活性領域上に位置するゲート電極のチャネル方向の幅を越えた大きさにレイアウトされたマスクを用いて露光する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, C23F 1/00 102
, H01L 21/027
, H01L 29/40
H01L 29/78 301 P
, C23F 1/00 102
, H01L 29/40 Z
, H01L 21/30 502 Z
