特許
J-GLOBAL ID：200903063707450964
半導体装置の絶縁性放熱板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101187
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294699
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 温度変化に対する寿命向上と放熱性に優れた半導体装置を得るために、半導体装置の絶縁性放熱板およびその製造方法を提供する。【解決手段】 この発明に係わる半導体装置の絶縁性放熱板およびその製造方法は、放熱板を炭素繊維複合Alまたは炭素繊維複合Al合金とし、絶縁板はCu層またはAl層が接合されたAlNとし、絶縁板と放熱板の接合材はSn-Pb系合金または導電性樹脂とするものである。さらにこの発明の製造方法は、絶縁板と放熱板をSn-Pb系合金で接合する際に、接合材が固化する前に板厚方向に引張力を与える。また放熱板の炭素繊維複合Alまたは炭素繊維複合Al合金の表面のNiメッキ層は、無電解法と電解法を併用する。
請求項（抜粋）：
半導体素子、絶縁板および放熱板を固着接合してなる半導体装置において、放熱板に炭素繊維複合Alまたは炭素繊維複合Al合金を用い、絶縁板にAlNを用いたことを特徴とする半導体装置の絶縁性放熱板。
Fターム (4件)：
5F036AA01
, 5F036BB01
, 5F036BC22
, 5F036BD03
