特許

J-GLOBAL ID：200903063707850407

有機トランジスタ

発明者： 中塚 正勝
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-220455
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054810
出願日： 2007年08月28日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：

【課題】高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。(式中、X1およびX2はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Aおよび環Bはそれぞれ独立に、置換または未置換のチエノチオフェン環を表す)【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05

FI (3件)：

H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A

Fターム (42件)：

5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ゲート絶縁膜の改質した表面を有する有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-575431   出願人：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 2,6-Diphenylbenzo[1,2-b:4,5-b¢]dichalcogenophenes: A New Class ofHigh-Performance Semiconductors fo