特許

J-GLOBAL ID：200903063711931098

V基固溶体型水素吸蔵合金

発明者： 松川 篤人 ,  福野 亮 ,  小田川 良基
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 奥山 雄毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-059871
公開番号（公開出願番号）：特開2001-247927
出願日： 2000年03月06日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 Vの含有量に関わらず、また、他の元素を添加することなくプラトー領域を平坦にすることができる水素吸蔵合金及びその製造方法を提供する。【解決手段】 一般式V<SB>x</SB>Ti<SB>y</SB>Cr<SB>z</SB>(ただし、原子比x、y、zは、0<x≦60、1.0≦z/y≦2.0、x+y+z=100とする。)で表せる体心立方構造を有するV基固溶体型合金を主相とし、かつ 前記主相の平均結晶粒径が、5〜30μmであるV基固溶体型水素吸蔵合金である。

請求項（抜粋）：

一般式V<SB>x</SB>Ti<SB>y</SB>Cr<SB>z</SB>(ただし、原子比x、y、zは、0<x≦60、1.0≦z/y≦2.0、x+y+z=100とする。)で表せる体心立方構造を有するV基固溶体型合金を主相とし、かつ 前記主相の平均結晶粒径が、5〜30μmであることを特徴とするV基固溶体型水素吸蔵合金。

IPC (17件)：

C22C 27/02 101 ,  C22C 1/00 ,  C22C 1/02 501 ,  C22C 1/02 503 ,  C22C 1/02 ,  C22C 27/06 ,  C22C 30/00 ,  C22F 1/11 ,  C22F 1/18 ,  H01M 4/38 ,  C22C 14/00 ,  C22F 1/00 604 ,  C22F 1/00 661 ,  C22F 1/00 681 ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 691 ,  C22F 1/00 692

FI (19件)：

C22C 27/02 101 Z ,  C22C 1/00 N ,  C22C 1/02 501 E ,  C22C 1/02 503 D ,  C22C 1/02 503 E ,  C22C 1/02 503 F ,  C22C 27/06 ,  C22C 30/00 ,  C22F 1/11 ,  C22F 1/18 G ,  C22F 1/18 H ,  H01M 4/38 A ,  C22C 14/00 A ,  C22F 1/00 604 ,  C22F 1/00 661 C ,  C22F 1/00 681 ,  C22F 1/00 682 ,  C22F 1/00 691 B ,  C22F 1/00 692 A

Fターム (14件)：

5H050AA19 ,  5H050BA14 ,  5H050CA03 ,  5H050CB16 ,  5H050FA19 ,  5H050GA02 ,  5H050GA05 ,  5H050HA00 ,  5H050HA01 ,  5H050HA02 ,  5H050HA05 ,  5H050HA07 ,  5H050HA14 ,  5H050HA20