特許

J-GLOBAL ID：200903063713960958

半導体レーザ

発明者： 内田 史朗 ,  二木 誠
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-179206
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038193
出願日： 1993年07月20日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 短波長発光と共に高出力化をはかることのできる半導体レーザを提供するものである。【構成】 活性層13に隣接するクラッド層の少なくとも放熱体側クラッド層14が、活性層13に接する側に活性層13に対するキャリアの閉じ込め効果を呈する範囲で小なる厚さを有し、活性層13に比し大なるエネルギーバンドギャップ幅を有するAlGaInP層よりなる第1のクラッド層14Aと、これに比し熱伝導度が高く上記活性層に比し屈折率が小さく主として光の閉じ込め機能を有するAlGaAs層よりなる第2のクラッド層14Bとを有する半導体レーザにおいて、第2のクラッド層14Bの上記第1のクラッド層14A側に高屈折率ガイド層14B0 を有する構成とする。

請求項（抜粋）：

活性層に隣接するクラッド層の少なくとも放熱体側クラッド層が、上記活性層に接する側に上記活性層に対するキャリアの閉じ込め効果を呈する範囲で小なる厚さを有し、上記活性層に比し大なるエネルギーバンドギャップ幅を有するAlGaInP層よりなる第1のクラッド層と、これに比し熱伝導度が高く上記活性層に比し屈折率が小さく主として光の閉じ込め機能を有するAlGaAs層よりなる第2クラッド層とを有する半導体レーザにおいて、上記第2のクラッド層の上記第1のクラッド層側に高屈折率ガイド層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。