特許

J-GLOBAL ID：200903063718116322

画像取り込み方法および装置ならびにそれを用いた半導体製造装置

発明者： 安田 純一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-254819
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097585
出願日： 1995年10月02日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】 画像の取り込みにおいて、SEMを用いた観察作業の効率を向上させる。【解決手段】 半導体チップ1に光を照射して半導体チップ1の画像を取り込む光学顕微鏡2と、光学顕微鏡2と並べて配置する電子放出部3cを備えかつ半導体チップ1に照射した電子ビーム3aの反射電子3bを検出することにより半導体チップ1の表面1aの情報を取り込む走査電子顕微鏡3と、光学顕微鏡2と電子放出部3cとに対向した被処理物支持面4aを備えかつ半導体チップ1を支持するステージ4と、光学顕微鏡2が取り込んだ画像または走査電子顕微鏡3による半導体チップ1の表面1aの情報を出力するモニタ5とからなり、同一のステージ4に支持された半導体チップ1の光学顕微鏡2による画像と走査電子顕微鏡3による半導体チップ1の表面1aの形状とを出力する。

請求項（抜粋）：

被処理物に電子ビームを照射して前記被処理物の表面の情報を取り込む画像取り込み方法であって、前記被処理物をステージ上に載置し、前記ステージと対向して設けられた光学顕微鏡によって前記被処理物の画像を取り込み、前記光学顕微鏡が取り込んだ画像によって予め前記電子ビームの照射箇所を絞り込んだ後、前記ステージと対向しかつ前記光学顕微鏡と並んで配置された走査電子顕微鏡の電子放出部から前記被処理物に電子ビームを照射し、前記被処理物から反射した反射電子を検出することによって前記被処理物の表面の情報を取り込むことを特徴とする画像取り込み方法。

IPC (5件)：

H01J 37/30 ,  G01N 23/225 ,  G01R 31/302 ,  H01J 37/22 502 ,  H01L 21/66

FI (6件)：

H01J 37/30 Z ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/22 502 L ,  H01L 21/66 S ,  H01L 21/66 J ,  G01R 31/28 L