特許
J-GLOBAL ID：200903063720501675
発光ダイオードの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-320334
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296040
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 内部発光効率を低下させることなく外部出射効率を向上させることができ、化学的に安定で充分な強度を有する発光ダイオードを比較的簡易に製造することができる発光ダイオードの製造方法を提供する。【構成】 n型の第1の基板10の上に、バッファ層11、中間バンドギャップ層12、第1クラッド層13からなるn型の第1の半導体層40、アンドープの発光層14、第2クラッド層15、キャップ層16からなるp型の第2の半導体層50を順次エピタキシャル成長させ、次いで第2の半導体層50の上にp型の第2の基板20を置き、その後接合する。この接合は、第2の基板20の上におもり30で圧力を加えた状態で高温処理を行うことにより行う。第2の基板20はキャップ層16との結晶軸方向を一致させて置くのが好ましい。
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有する半導体からなる第1の基板の上に、第1の導電型を有し、かつ単層または複数層からなる第1の半導体層を形成する工程と、該第1の半導体層の上に発光層を形成する工程と、該発光層の上に、第2の導電型を有し、かつ単層または複数層からなる第2の半導体層を形成する工程と、該第2の半導体層の上に、発光波長に対して透明な第2の基板を置き、その後高温処理によって接合する工程と、を含む発光ダイオードの製造方法。
引用特許：
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