特許

J-GLOBAL ID：200903063720520726

光電変換機能素子の製造方法

発明者： 野田 朗 ,  荒川 篤俊
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304540
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127341
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 光度のバラツキを抑え、歩留まりを向上させることのできる光電変換機能素子の製造方法を提供する。【解決手段】 周期表第12(2B)族元素及び第16(6B)族元素からなる化合物半導体結晶を基板とする光電変換機能素子の製造方法であって、上記基板の表面を臭化水素と過酸化水素と水の混合液によってエッチングする工程と、上記基板とは異なる導電性を示す拡散源を基板表面に配置して拡散によりpn接合を形成する工程と、上記基板の表裏に電極を形成する工程とを少なくとも有するようにした。

請求項（抜粋）：

周期表第12(2B)族元素及び第16(6B)族元素からなる化合物半導体結晶を基板とする光電変換機能素子の製造方法であって、上記基板の表面を臭化水素と過酸化水素と水の混合液によってエッチングする工程と、上記基板とは異なる導電性を示す拡散源を基板表面に配置して拡散によりpn接合を形成する工程と、上記基板の表裏に電極を形成する工程と、を少なくとも有することを特徴とする光電変換機能素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/385

FI (3件)：

H01L 33/00 D ,  H01L 21/225 M ,  H01L 21/385

Fターム (9件)：

5F041AA41 ,  5F041CA41 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA67 ,  5F041CA72 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77