特許

J-GLOBAL ID：200903063731176407

光電変換装置の製造方法

発明者： 小中原 馨 ,  大倉 央 ,  田 透
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-036815
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243053
出願日： 2002年02月14日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 光電変換装置の変換効率を高めるために、電子の授受をスムーズに行われるようにする。【解決手段】 p型の電荷輸送層、基板上に形成されたn型の電荷輸送層、及び該p型とn型の電荷輸送層間に光吸収層を有する光電変換装置の製造方法であって、該n型の電荷輸送層は、亜鉛イオン及び少なくとも一種類以上の酸化物半導体を含有する電解液による電着によって形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

p型の電荷輸送層、基板上に形成されたn型の電荷輸送層、及び該p型とn型の電荷輸送層間に光吸収層を有する光電変換装置の製造方法であって、該n型の電荷輸送層は、亜鉛イオン及び少なくとも一種類以上の酸化物半導体を含有する電解液による電着によって形成されていることを特徴とする光電変換装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (15件)：

5F051AA07 ,  5F051AA14 ,  5F051BA14 ,  5F051CB11 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032HH02 ,  5H032HH04