特許
J-GLOBAL ID：200903063735162427
金-イオン交換膜接合体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院大阪工業技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-185657
公開番号（公開出願番号）：特開平10-008285
出願日： 1996年06月25日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：
【要約】【課題】密着性に優れ、接触抵抗および表面抵抗の小さい金-イオン交換膜接合体の製造方法を提供することを主な目的とする。【解決手段】1.陽イオン交換膜に陽イオン性の金エチレンジアミン錯体をイオン交換吸着させた後、還元剤水溶液に浸漬して膜表面に金を析出させることを特徴とする金-イオン交換膜接合体の製造方法。
請求項（抜粋）：
陽イオン交換膜に陽イオン性の金エチレンジアミン錯体をイオン交換吸着させた後、還元剤水溶液に浸漬して膜表面に金を析出させることを特徴とする金-イオン交換膜接合体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C25B 11/08 Z
, H01M 8/02 P
