多重量子井戸構造光半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-047532
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250798
出願日： 1995年03月07日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】多重量子井戸構造半導体レーザにおいて、信頼度を確保しつつ、閾値を低減し、微分量子効率を向上させ、温度特性を向上させる。【構成】多重量子井戸の井戸層を圧縮歪InGaAsPとし、障壁層をInGaAlAsPとし、井戸層と障壁層で、AsとPのモル比を一定とし、In対Gaの比を一定とする。この多重量子井戸を有機金属法で成長するときは、AsとPとInとGaを含む成長ガスを井戸層、障壁層で一定流量で流し続け、井戸層と障壁層の界面は、単にAlを含むガスの供給のON、OFFだけで行うことを特徴とする。【効果】井戸層がAlフリーのため、信頼度が安定する。バンド構造としては、ライトホールの準位がウェルから無くなり、電子側のバンド不連続が大きくなるため、光学利得が向上する。

請求項（抜粋）：

少なくとも井戸層と障壁層からなる多重量子井戸構造を有する光半導体装置において、井戸層は、InGaAsPとし、障壁層はInGaAlAsPであることを特徴とする光半導体装置。

前のページに戻る