特許
J-GLOBAL ID：200903063737930596
半導体多層構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-052229
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259577
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】高濃度のp-InP層、もしくはp-InP基板上においても、キャリア濃度を制御性良く一定に保つ。【構成】Znの高濃度層と低濃度層の界面、もしくはp-InPバッファ層3中にInGaAsP層2をZnのストッパ層として導入した半導体多層構造。【効果】InGaAsP層によりZnの拡散を抑制でき、キャリア濃度を制御性良く一定に保つことができた。
請求項（抜粋）：
p-InP基板上、もしくは高濃度のp-InP層を含む半導体多層構造において、前記p-InP層中、もしくは高濃度と低濃度層界面に不純物拡散抑制層を有することを特徴とする半導体多層構造。
IPC (2件)：
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