特許

J-GLOBAL ID：200903063739749970

ナノチューブ電子デバイスおよびその製造方法

発明者： 秋田 成司 ,  中山 喜萬
出願人/特許権者： 財団法人大阪産業振興機構
代理人 (2件)： 河宮 治 ,  石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-324963
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093715
出願日： 2003年09月17日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】 新規なナノデバイスを実現できるナノチューブ電子デバイスおよびその製造方法を提供することである。【解決手段】 多層カーボンナノチューブ1の層間すべりを利用したナノチューブ電子デバイスは、内層チューブ20と、内層チューブ20の軸方向に沿って相互に変位自在な外層チューブ11a,12a,13aおよび外層チューブ11b,12b,13bと、外層チューブ11a,12a,13a、内層チューブ20および外層チューブ11b,12b,13bの順で通電するための電気回路と、外層チューブ11a,12a,13aおよび外層チューブ11b,12b,13bの少なくとも一方を変位させるための微小変位機構43などで構成され、外層チューブ間の相対変位に応じた電気抵抗Rの変化を利用して、該電気回路に流れる電流Iを制御する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

多層カーボンナノチューブの層間すべりを利用した電子デバイスであって、 内層チューブと、 内層チューブの軸方向に沿って相互に変位自在な第1外層チューブおよび第2外層チューブと、 第1外層チューブ、内層チューブおよび第2外層チューブの順で通電するための電気回路と、 第1外層チューブおよび第2外層チューブの少なくとも一方を変位させるための変位機構とを備え、 外層チューブ間の相対変位に応じた電気抵抗の変化を利用して、該電気回路に流れる通電量を制御することを特徴とするナノチューブ電子デバイス。

IPC (6件)：

H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01C10/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

FI (5件)：

H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01C10/00 Z ,  H01L27/04 P

Fターム (11件)：

4G146AA11 ,  4G146AD28 ,  4G146BA04 ,  4G146CB21 ,  5E030AA20 ,  5E030BA30 ,  5E030CC01 ,  5E030HA04 ,  5F038AR06 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 低抗体ペーストおよび可変抵抗器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-298727   出願人：株式会社島津製作所, 財団法人地球環境産業技術研究機構