特許

J-GLOBAL ID：200903063741849264

ドット体の形成方法および半導体装置の製造方法

発明者： 森本 廉 ,  高木 剛 ,  森田 清之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-323202
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133540
出願日： 2001年10月22日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 工程の簡略化が可能であり、デバイスの品質の特性の劣化防止が可能である,Geを主成分とするドット体の形成方法を提供する。【解決手段】 Si基板1の上に、下部酸化膜2を形成し、その上にSiGe半導体薄膜3を形成する。そして、800°Cで基板の熱酸化を行なうことにより、SiGe半導体薄膜3から上部酸化膜4を形成する。同時に、上部酸化膜4と下部酸化膜2との間の界面付近には、SiGe半導体薄膜3に含まれていたGeが偏析・凝集することにより、Geを主成分とするドット体5が形成される。

請求項（抜粋）：

導体層の少なくとも一部に接する絶縁層を形成する工程(a)と、上記絶縁層の上にゲルマニウムを含む化合物半導体からなる半導体層を堆積する工程(b)と、上記半導体層を熱酸化することにより、上記半導体層からGeを主成分とする複数のドット体と上記ドット体を覆う酸化層とを形成する工程(c)とを含むドット体の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 29/06 601 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 29/06 601 D ,  H01L 29/163 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Fターム (20件)：

5F083EP17 ,  5F083EP23 ,  5F083EP48 ,  5F083EP49 ,  5F083EP50 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083GA05 ,  5F083JA03 ,  5F083JA35 ,  5F083PR12 ,  5F083PR14 ,  5F083PR21 ,  5F083PR36 ,  5F101BA54 ,  5F101BD07 ,  5F101BH02 ,  5F101BH03 ,  5F101BH09 ,  5F101BH30