特許
J-GLOBAL ID：200903063744088868
成長レート決定方法および単結晶薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-057443
公開番号（公開出願番号）：特開平6-271391
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月27日
要約：
【要約】【目的】 単結晶薄膜の成長レートを精度良く求め、かつ、決められた成長レートに従って、単結晶薄膜を成長させる。【構成】 下地23上に、この下地に対して格子不整合率の大きい第1物質24(InGaAs層)と格子不整合率の小さいまたは下地と同一の第2物質26(GaAs層)とを周期的にエピタキシャル成長させて単結晶の薄膜からなる超格子構造28を形成する。この超格子構造の試料を用いてX線回折を行いX線ロッキング曲線より第1および第2物質の成長レートを決定する。また、MBE法を用いて下地上に超格子構造を形成する場合、第2物質のGaとAsのKセルシャッタを開放したままの状態で行う。一方、第1物質のInのKセルシャッタを繰り返し開閉させるのが良い。然る後、新たな下地上に決定した第2物質の成長レートを用いて第2物質を有する単結晶薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
下地上に、該下地に対して格子不整合率の大きな第1物質と格子不整合率の小さいまたは前記下地と同一の第2物質とを周期的にエピタキシャル成長させて単結晶の薄膜からなる超格子構造を形成し、該超格子構造のX線回折を測定することにより前記第1および第2物質の成長レートを決定することを特徴とする成長レート決定方法および単結晶薄膜の形成方法。
IPC (5件)：
C30B 23/08
, C23C 14/06
, H01L 21/203
, H01L 21/338
, H01L 29/812
