特許

J-GLOBAL ID：200903063749209515

改良された放射能力を有する放射線放出ダイオード

発明者： ヨツヘン・ゲルネル
出願人/特許権者： テミツク・テレフンケン・マイクロエレクトロニツク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
代理人 (1件)： 中平 治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-050033
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350135
出願日： 1994年02月10日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【構成】 放射線放出ダイオード1であつて,基板本体2と,基板本体上に設けられてメサ状に構成されたエピタキシヤル膜系列4,5,7とを備え,この膜系列が,放射線を発生するpn接合6を含んでいるものにおいて,放射線出力を高めるためにダイオードの表面が粗面化されている。本発明によれば,ダイオードの表面が,実質的に,専ら,基板本体10の側面範囲で粗面化されている。【効果】 ダイオードは,そのライフタイム及びボンデイング性が損なわれることなく,放射能力が向上される。更に,専らダイオードチツプの側面が粗面化されるダイオード製造方法が記載される。

請求項（抜粋）：

放射線放出ダイオード(1)であつて,基板本体(2)と,基板本体上に設けられてメサ状に構成されたエピタキシヤル膜系列(4,5,7)とを備え,この膜系列が,放射線を発生するpn接合(6)を含み,放射線出力を高めるためにダイオードの表面が粗面化されてあるものにおいて,ダイオードの表面が,実質的に,専ら,基板本体(10)の側面範囲で粗面化されていることを特徴とする,放射線放出ダイオード。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/316