特許

J-GLOBAL ID：200903063754414208

レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法

発明者： 吉田 善一 ,  伊東 克通 ,  水口 信一 ,  三露 常男 ,  大川 和宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-035102
公開番号（公開出願番号）：特開平6-248439
出願日： 1993年02月24日
公開日（公表日）： 1994年09月06日
要約：

【要約】【目的】 高濃度のP型不純をII-VI族半導体に添加する。【構成】 パルスノズルからの励起窒素ガスの基板への照射とII-VI族半導体構成元素のターゲットへのパルスレーザー照射とを交互に行うことにより、窒素添加された化合物を形成する。

請求項（抜粋）：

パルスレーザー発振器と、集光するレンズと、真空槽と、前記真空槽に設けられたレーザー入射窓と、前記真空槽内にありレーザーが照射されるターゲットと、ターゲット上にありターゲットからレーザー照射により噴出した物質を堆積させる基板と、基板にガスを吹き付けるためのパルス動作のノズルとを備え、パルスレーザーとパルスノズルとを交互に動作させるレーザーアブレーション装置。