特許
J-GLOBAL ID：200903063754837125
半導体膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255328
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094954
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】アモルファスシリコン膜が熱処理工程を経て再結晶化する時のグレインサイズを大きくすることが可能になり、アモルファスシリコン膜を使用した素子の特性を向上させ得る半導体膜の形成方法を提供する。【構成】半導体ウェハー10上に形成された絶縁膜12上にアモルファスシリコン膜を形成する際、半導体ウェハーを減圧型または常圧型のCVD装置の反応管内に挿入し、この反応管内を減圧または常圧の状態に保ち、酸化性ガスを流してウェハー表面を酸素パージする工程と、これに連続して上記反応管内でウェハー表面にアモルファスシリコン膜を堆積形成する工程とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハー上に形成された絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成する際、半導体ウェハーを減圧型または常圧型の化学気相成長装置の反応管内に挿入し、この反応管内を減圧または常圧の状態に保ち、酸化性ガスを流してウェハー表面を酸素パージする工程と、これに連続して上記反応管内でウェハー表面にアモルファスシリコン膜を堆積形成する工程とを具備することを特徴とする半導体膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01L 21/20
, H01L 21/336
, H01L 29/784
