特許
J-GLOBAL ID：200903063759828124
半導体量子井戸箱の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-086050
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063305
出願日： 1991年03月26日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 結晶面に依存性がなく、結晶にダメージのない半導体量子井戸箱の製造方法を提供する。【構成】 気相成長法による結晶成長の初期過程を利用して、2族または3族の溶融金属に濡れ性の悪い基板10上に、その溶融金属の微細な液滴を形成し、その後夫々4族または5族の原子を含む原料を供給して、前記液滴にその原子を拡散して半導体微結晶を形成する半導体量子井戸箱の製造方法。
請求項（抜粋）：
2族または3族の溶融金属と濡れ性が悪い基板上に、その原料を供給し、2族または3族の原子からなる微細な液滴を形成する工程と、その後6族または5族の原子を含む原料を供給して前記2族または3族の液滴に夫々6族または5族原子を拡散して半導体の微結晶を形成する工程とからなり、前記2族または3族の原料の供給量が50nmの平均膜厚の前記金属膜を基板上に生成するのに必要な量以下であることを特徴とする2-6族化合物または3-5族化合物の半導体量子井戸箱の製造方法。
IPC (2件)：
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