特許

J-GLOBAL ID：200903063768418648

半導体不揮発性記憶装置

発明者： 立川 尚久 ,  藤原 淳
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-332691
公開番号（公開出願番号）：特開2005-100527
出願日： 2003年09月25日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】 フラッシュメモリは微細化によりデータ値を決める蓄積電荷量が減少し、低電圧動作化の要望により蓄積電荷を絶縁するトンネル酸化膜厚が薄膜化されてきている。よってフラッシュメモリのデータ保持特性を改善することは重要である。 【解決手段】 データ“1”を電荷あり、データ“0”を電荷なしと定義した、チャージロスに弱いメモリセルを考える。メインアレイ10内のデータが“1”カウント数>“0”カウント数のとき、書き込むデータを変換して“1”カウント数<“0”カウント数とし、メインアレイ10内のデータの統計的な信頼性を改善する。変換して書き込まれたデータは読み出しの際に元の極性に復元される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリセルから構成されるメインアレイと、 前記メインアレイへデータを書き込む書込手段と、 比較結果に従って前記不揮発性メモリセルのデータ保持特性に優れた極性にデータを変換して前記書込手段へデータを出力するデータ変換手段と、 前記不揮発性メモリセルを高い閾値電圧にするデータと低い閾値電圧にするデータをそれぞれ計数する第1の計数手段および第2の計数手段と、 前記第1の計数手段の計数値と前記第2の計数手段の計数値を比較し、前記比較結果を出力する比較手段と、 前記比較結果を記憶する記憶手段とを備えたことを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。

IPC (2件)：

G11C16/02 ,  G11C16/06

FI (4件)：

G11C17/00 601B ,  G11C17/00 611D ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 631

Fターム (7件)：

5B025AA01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE01 ,  5B025AE07 ,  5B025AE08 ,  5B025AE10