特許
J-GLOBAL ID：200903063779694914
窒化物半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-007830
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156544
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】【課題】 活性領域や該活性領域の周辺部の結晶品質を向上させることにより、動作特性に優れる窒化物半導体素子を実現できるようにする。【解決手段】 基板温度を1020°Cにして、サファイアからなる基板11上に、n型Al0.1 Ga0.9 Nからなるn型クラッド層14、n型GaNからなるn型光ガイド層15、及びn型光ガイド層15の構成原子の再蒸発を抑制してn型光ガイド層15の表面平坦性を維持するn型Al0.2 Ga0.8 Nからなる平坦性維持層16とを順次成長させる。次に、III 族原料ガスの供給を止め、基板温度を780°Cにまで降温すると共にキャリアガスを水素ガスから窒素ガスに切り替え、その後、V族源にNH3 、III 族源にTMIとTMGとを選択的に導入することにより多重量子井戸構造を持つ活性層17を成長させる。
請求項（抜粋）：
基板上に第1の窒化物半導体からなる半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上に、前記半導体層の構成原子の蒸発を抑制することにより前記半導体層の表面平坦性を維持する第2の窒化物半導体からなる平坦性維持層を形成する工程と、前記平坦性維持層の上に第3の窒化物半導体からなる活性層を形成する工程とを備えていることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 673
, H01L 33/00 C
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA55
, 5F073AA74
, 5F073BA06
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073EA23
, 5F073EA28
