特許
J-GLOBAL ID：200903063783297229
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-313977
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129658
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 光の取出効率を向上させると共に電極間の抵抗成分を低く抑える。【構成】 n型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;0≦X<1)から成るn層4と、n層4に接合するp型不純物を添加した半絶縁性のi型の窒化ガリウム系化合物半導体から成るi層5とを有する発光素子において、i層5の表面に形成された透明導電膜から成る第1の電極7と、i層5の側からn層4に接続するように形成された第2の電極8とから成りi層5の側から外部に発光させるようにした。第1の電極に対してスポットで電流を注入させても、第1の電極全体を均一の電位とし、第1の電極の下方の全面から発光し、透明な第1の電極の側から光が取り出される。
請求項（抜粋）：
n型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;0≦X<1)から成るn層と、前記n層に接合するp型不純物を添加した半絶縁性のi型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;0≦X<1)から成るi層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記i層の表面に形成された透明導電膜から成る第1の電極と、前記i層の側から前記n層に接続するように形成された第2の電極とから成り前記i層の側から外部に発光させることを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
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