特許

J-GLOBAL ID：200903063783708911

アッシング装置、アッシング方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 柴田 巧
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-194936
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007689
出願日： 2001年06月27日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 被処理体上に残される異物を低減できるアッシング装置、アッシング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、下地膜1上にTiN膜2を形成する工程と、このTiN膜2上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像する工程と、Al合金膜をエッチングしたエッチング装置を用いて、上記フォトレジスト膜4aをマスクとしてTiN膜2をエッチングする工程と、フォトレジスト膜の近傍にO2ガス及びN2ガスを含む混合ガスを導入し、この混合ガスをプラズマ化することにより、フォトレジスト膜をアッシングする工程と、TiN膜の近傍にH2Oガスを導入し、このガスをプラズマ化することにより、TiN膜上の異物をアッシングする工程と、を具備するものである。

請求項（抜粋）：

Al合金膜をエッチングしたエッチング装置を用いて、フォトレジスト膜をマスクとしてTiN膜をエッチングした被処理体における該フォトレジスト膜をアッシングする装置であって、アッシングチャンバと、このアッシングチャンバ内に配置された被処理体を載置するステージと、このステージに載置された被処理体の近傍にアッシングガスを導入するガス導入機構と、このガス導入機構により導入されたアッシングガスをプラズマ化するプラズマ機構と、を具備し、上記アッシングガスは、O2ガス及びN2ガスを含む混合ガス又はH2Oガスであることを特徴とするアッシング装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3213

FI (5件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/88 D

Fターム (30件)：

2H096AA25 ,  2H096CA06 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096LA07 ,  2H096LA08 ,  5F004AA09 ,  5F004BB14 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB12 ,  5F004DB27 ,  5F004EA01 ,  5F004FA01 ,  5F033HH08 ,  5F033HH33 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033WW00 ,  5F033XX21 ,  5F046MA12 ,  5F046PA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-183524
  
• 特開平2-183524