特許
J-GLOBAL ID：200903063798376311
フォトレジスト用被膜形成材料、フォトレジスト組成物及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
内山 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-143141
公開番号（公開出願番号）：特開平11-338148
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】遠紫外光に対する光透過性に優れ、遠紫外光用として有用なフォトレジストを与える被膜形成材料、及びこのものを含有し、遠紫外光を露光光源とする高感度で、かつ解像度に優れるフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】一般式[1](式中のX1及びX2は、それぞれ水素原子、-COOH、-CH2COOH、-CH(COOH)2又は-C(COOH)3であり、少なくとも一方は水素原子以外の基である)で表される繰り返し単位を有する数平均分子量3000〜30000の重合体からなるフォトレジスト用被膜形成材料、並びに、(A)上記被膜形成材料、(B)溶解抑止剤及び(C)光酸発生剤を含有してなるフォトレジスト組成物。
請求項（抜粋）：
一般式[1]【化1】(式中のX1及びX2は、それぞれ水素原子、-COOH、-CH2COOH、-CH(COOH)2又は-C(COOH)3であり、それらはたがいに同一であってもよいし、異なっていてもよいが、X1及びX2の少なくとも一方は水素原子以外の基である)で表される繰り返し単位を有する数平均分子量3000〜30000の重合体からなるフォトレジスト用被膜形成材料。
IPC (5件)：
G03F 7/039 601
, C08L 69/00
, G03F 7/004
, C08G 64/02
, C08G 64/30
G03F 7/039 601
, C08L 69/00
, G03F 7/004
, C08G 64/02
, C08G 64/30
