特許

J-GLOBAL ID：200903063806049716

半導体装置の製造方法

発明者： 上田 立志
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-382961
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188149
出願日： 2001年12月17日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 一度に複数枚、例えば二枚の基板を処理することができ且つ副生成物を同一処理容器で処理することを可能とする。【解決手段】 弗化窒素をプラズマにより励起することにより生成された弗化窒素の励起種を基板6に晒してこれを基板6上の自然酸化膜と反応させて基板6上に副生成物を生じさせる副生成物形成工程と、基板6を所定の温度に加熱することにより前記副生成物を昇華させる加熱工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記加熱工程では、複数枚の基板6を加熱手段(ランプ7)により基板配列方向の片側、例えば上側から、加熱手段から最も遠い位置にある基板6の温度が基板処理可能な温度、例えば80°C以上好ましくは100°C以上となるように加熱する。

請求項（抜粋）：

弗化窒素をプラズマにより励起することにより生成された弗化窒素の励起種を基板に晒してこれを基板上の自然酸化膜と反応させて基板上に副生成物を生じさせる副生成物形成工程と、基板を所定の温度に加熱することにより前記副生成物を昇華させる加熱工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記加熱工程では、複数枚の基板を加熱手段により基板配列方向の片側から、加熱手段から最も遠い位置にある基板の温度が基板処理可能な温度となるように加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/304 645

FI (3件)：

H01L 21/304 645 C ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/26 G

Fターム (10件)：

5F004AA14 ,  5F004BA03 ,  5F004BB05 ,  5F004BB19 ,  5F004BB27 ,  5F004DA17 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB03 ,  5F004EB01