特許
J-GLOBAL ID：200903063807719480
凹型バンプ及びその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-248707
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077233
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子と回路基板との接続時、位置合わせを容易にし、位置合わせ後接合するまでの間の横ずれを防止できる凹型バンプとその形成方法を提供する。【構成】 ウェハー上の半導体素子の電極パッドに設けられたバンプが、先端面に凹部が設けられている凹型バンプ。ウェハー上の半導体素子の電極パッドの上面外周部まで厚いパッシベーション膜を施し、次にウェハーの全面にバリアーメタル層を形成し、次いで電極パッド部のみ開口するように厚いレジストをパターニングし、次に開口部にメッキを施して先端面に前記電極パッドの上面及びその外周部の厚いパッシベーション膜の上面に沿う凹部を有するバンプを形成し、然る後レジストの剥離、バリアーメタル層のエッチングを行うことを特徴とする凹型バンプの形成方法。
請求項（抜粋）：
ウェハー上の半導体素子の電極パッドに設けられたバンプが、先端面に凹部が設けられていることを特徴とする凹型バンプ。
IPC (2件)：
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