特許

J-GLOBAL ID：200903063807774007

半導体装置の研磨方法および研磨装置

発明者： 濱中 雅司
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028719
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228377
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 研磨時のエロージョンを低減できる半導体装置の研磨方法および研磨装置を得る。【解決手段】 ウェハ11を研磨する研磨装置であって、裏面に供給される液体を浸透可能な多孔質の物質からなりウェハ11を平坦に保持するバッキングプレート12を有したキャリア10と、ウェハ裏面を冷却可能に温調された液体16をキャリア10の回転軸13を通してバッキングプレート12の裏面に供給する液体供給路14と、バッキングプレート12を浸透してウェハ裏面に供給された液体17をキャリア外に排出する液体排出路15とを備えたものである。

請求項（抜粋）：

ウェハの研磨時に、ウェハ裏面を冷却しながら研磨することを特徴とする半導体装置の研磨方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00

FI (2件)：

H01L 21/304 622 R ,  B24B 37/00 J

Fターム (9件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AB04 ,  3C058AC04 ,  3C058BA05 ,  3C058BA08 ,  3C058CB02 ,  3C058DA06 ,  3C058DA17