特許

J-GLOBAL ID：200903063822504970

半導体レーザおよびその作製方法

発明者： 鶴間 功 ,  水由 明
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-150904
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340880
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 基板上に、最上層となるコンタクト層を含む複数の半導体層を形成し、これら複数の半導体層を部分的にエッチングすることによりリッジ構造を形成し、前記エッチングがなされた部分に接し、かつ前記リッジ構造の最上位に残ったコンタクト層の少なくとも一部を露出させる状態に絶縁膜を形成し、この露出したコンタクト層に電極を接合させる半導体レーザの作製方法において、リッジ構造の最上部に形成されたコンタクト層に対して電極を確実に接合させる。【解決手段】 基板10上にコンタクト層19を含む複数の半導体層を形成した後、コンタクト層19の上の所定箇所に、リッジエッチングを阻止する金属マスク20を形成する。そして、この金属マスク20を残したままリッジエッチングおよび絶縁膜21の形成を行ない、金属マスク20を除去してコンタクト層19を露出させ、次に、露出したコンタクト層19に接合するように電極23’を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、最上層となるコンタクト層を含む複数の半導体層を形成し、これら複数の半導体層を部分的にエッチングすることによりリッジ構造を形成し、前記エッチングがなされた部分に接し、かつ前記リッジ構造の最上位に残った前記コンタクト層の少なくとも一部を露出させる状態に絶縁膜を形成し、前記露出したコンタクト層に電極を接合させる半導体レーザの作製方法において、前記複数の半導体層を形成した後、前記コンタクト層の上の所定箇所に、前記エッチングを阻止する金属マスクを形成し、この金属マスクを残したまま前記エッチングおよび前記絶縁膜の形成を行ない、前記金属マスクを除去して前記コンタクト層を露出させ、次に、露出したこのコンタクト層に接合するように前記電極を形成することを特徴とする半導体レーザの作製方法。

IPC (2件)：

H01S 5/042 610 ,  H01S 5/22

FI (2件)：

H01S 3/18 624 ,  H01S 3/18 662

Fターム (7件)：

5F073AA13 ,  5F073CA07 ,  5F073CA13 ,  5F073CB22 ,  5F073DA30 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28