特許

J-GLOBAL ID：200903063822697523

半導体ウエハ保護用フィルム及びこれを用いた半導体ウエハ裏面の化学エッチング方法

発明者： 大山 泰 ,  檜森 宏次 ,  今泉 純一 ,  塩貝 進 ,  上原 寿茂
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-084753
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284444
出願日： 1997年04月03日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】化学エッチング加工時には半導体ウエハを強固に保持し、加工後に剥離する際には半導体ウエハを破損することなく簡単に剥離できる半導体ウエハ保護用保護用フィルムを提供すること。【解決手段】粘着剤の融点より高い温度での接着力が、融点より低い温度での接着力の3倍以上となるようにした該粘着剤を、プラスチックフィルムの基材に塗布してなる半導体ウエハ保護用フィルム、、及び該半導体ウエハ保護用フィルムを貼り付けて半導体ウエハ裏面を化学エッチングすることで薄膜化加工を行い、その後粘着剤の融点より低い温度で半導体ウエハ保護用フィルムを剥離する半導体ウエハ裏面の化学エッチング方法。

請求項（抜粋）：

少なくともプラスチックフィルム基材と粘着剤から構成され、該粘着剤の融点よりも高い温度での接着力が、融点より低い温度での接着力の3倍以上となる特性を有する半導体ウエハ保護用フィルム。

IPC (3件)：

H01L 21/301 ,  C09J 7/02 ,  C09J 9/00

FI (3件)：

H01L 21/78 M ,  C09J 7/02 Z ,  C09J 9/00