特許
J-GLOBAL ID：200903063825865460
薄膜半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-309328
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161995
出願日： 1993年12月09日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 活性層と不純物ドープ非晶質シリコンからなるソース、ドレインの間に自然酸化膜が存在しない薄膜半導体素子の製造方法を提供するものである。【構成】 透明絶縁基板上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極上に少なくともゲート絶縁膜を形成し、その上に非晶質シリコンからなる活性層を形成する工程と、前記活性層上に絶縁材料からなるエッチングストッパ層を形成する工程と、前記基板を加熱すると共にCF4 またはSF6 からなるフッ素系ガスとH2 との混合ガスのプラズマにより前記活性層表面の自然酸化膜を除去する工程と、前記基板を大気に曝さずに成膜室に搬送し、エッチングストッパ層を含む前記活性層上に不純物ドープ非晶質シリコン層および電極材料層を順次堆積し、前記エッチングストッパ層上で分離されたソース、ドレインと電極を形成する工程とを具備する。
請求項（抜粋）：
透明絶縁基板上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極上に少なくともゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート電極に対応する前記ゲート絶縁膜上に非晶質シリコンからなる活性層を形成する工程と、前記活性層上に絶縁材料からなるエッチングストッパ層を形成する工程と、前記基板を真空チャンバ内に設置し、前記基板を加熱すると共に前記チャンバ内でプラズマで励起されたCF4 またはSF6 からなるフッ素系ガスとH2 との混合ガスにより前記活性層表面の自然酸化膜を除去する工程と、前記基板を前記真空チャンバから真空を破らずに成膜室に搬送し、前記エッチングストッパ層を含む前記活性層上に不純物ドープ非晶質シリコン層および電極材料層を順次堆積する工程と、前記電極材料層および不純物ドープ非晶質シリコン層を前記エッチングストッパ層上で分離することにより前記活性層上に互いに電気的に分離された不純物ドープ非晶質シリコンからなるソース、ドレインを形成すると共にこれらソース、ドレインにそれぞれ接続された電極を形成する工程とを具備したことを特徴とする薄膜半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
