特許
J-GLOBAL ID：200903063826365258
薄膜のパターニング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-318396
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163174
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 少なくとも二つの異なる材料または膜厚からなる被エッチング膜を、1回のパターニング工程でエッチングできるパターニング方法を提供する。【解決手段】 絶縁性基板1上にゲート配線2を形成し、ゲート配線2上にゲート絶縁膜3、ドープを行っていないアモルファスシリコンからなるi層4及びリン等を高濃度でドープしたシリコンからなるn+層5を順次積層する。次に、レジスト6を塗布してパターニングする際に、所望する部位にレジストの薄い部分6aを設け、レジスト6をアッシングしながらドライエッチングを行うことにより、レジスト6が存在していない部位のn+層5及びi層4をエッチングするとともに、レジストの薄い部分6aの下層のn+層5をエッチングする。エッチング後のレジスト6bは、一部がアッシングされているため薄くなっている。そして、レジスト6を剥離してTFTのチャネル部7を形成する。
請求項（抜粋）：
被エッチング膜上にレジストを塗布する工程と、前記レジストを所望のパターンのフォトマスクを用いて感光させる工程と、前記レジストを所望のパターンに現像する工程と、前記被エッチング膜をドライエッチングする工程とを有する薄膜のパターニング方法において、前記レジストを少なくとも二つの異なる膜厚に現像し、前記レジストをアッシングしながら前記被エッチング膜をドライエッチングすることを特徴とする薄膜のパターニング方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, G02F 1/136 500
, H01L 21/027
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/302 H
, G02F 1/136 500
, H01L 21/30 573
, H01L 29/78 627 C
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (10件)
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