半導体光集積装置及びその作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲垣清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-032730
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232252
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】共通の半導体基板上にモノリシックに形成したレーザ素子と受光素子とを単一の電源によって駆動できる、半導体光集積装置を提供する。【解決手段】本装置39は、共通のInP基板21上にモノリシックに設けられたレーザ素子40と受光素子41とを備え、分離溝42により電気的に分離されている。受光素子は、n-InP基板上に、膜厚100nmのn-AlInAs層22、n-InPクラッド層23、MQW活性層24、p-InPクラッド層25、膜厚50nmのp-AlInAs層26、p-InPクラッド層27、及びp-GaInAsコンタクト層28の積層構造を有する。リッジストライプを構成するp-AlInAs層の両側部は、AlInAs層中のAlが酸化されたAl酸化層29となって電流狭窄構造を構成し、n-AlInAs層22は、全層にわたりAlが酸化されたAl酸化層30になっている。受光素子は、Al酸化層30により半導体基板から電気的に分離され、分離溝によりレーザ素子から電気的に分離されている。

請求項（抜粋）：

共通の半導体基板上にモノリシックに形成され、素子分離領域により相互に電気的に分離されたレーザ素子と受光素子とを有する半導体光集積装置であって、レーザ素子及び受光素子のいずれか一方の素子の電極が、半導体基板裏面に形成され、かつ、他方の素子が、半導体基板から電気的分離帯により電気的に分離されていることを特徴とする半導体光集積装置。

IPC (3件)：

H01S 5/026 , H01S 5/227 , H01S 5/343

FI (3件)：

H01S 3/18 616 , H01S 3/18 665 , H01S 3/18 677

Fターム (9件)：

5F073AA13 , 5F073AA46 , 5F073AA74 , 5F073AB13 , 5F073CA12 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073DA22 , 5F073DA25

前のページに戻る