特許

J-GLOBAL ID：200903063830166316

半導体装置

発明者： 江森 文章
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-235159
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097318
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】薄型化が実現できかつ十分の高周波シールド効果が得られる容器構造を有する半導体装置を提供する。【構成】表面に半導体素子31を搭載する回路基板20の側面に凹部27を形成し、金属キャップ10の側壁13に形成された凸部14を凹部27に嵌合し、かつ凹部27の内面に形成された内面導電膜28に凸部14を接触させる。

請求項（抜粋）：

表面に半導体素子を搭載する回路基板の側面に凹部が形成され、前記半導体素子を覆う金属キャップの側壁に形成された凸部が前記凹部に嵌合し、かつ前記凹部の内面に形成された内面導電膜に前記凸部が接触していることを特徴とする半導体装置。