特許

J-GLOBAL ID：200903063833756327

半導体集積回路

発明者： 山田 和美
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279372
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121662
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路の静電気による破壊は、半導体集積回路が単体として扱われている状況、即ち組立工程〜選別工程〜出荷/梱包〜基板への実装迄が最も可能性が高い、本発明では当該工程内での静電気印加による破壊には有効に作用し、一方実動作中には回路から切離される静電保護回路の提供を目的とする。【構成】静電保護ダイオードと被保護回路との間にヒューズ素子を挿入し、半導体集積回路実装後ヒューズ素子に直流大電流を加え、熔断させる。このように、保護回路を信号端子と分離する手段を有している。

請求項（抜粋）：

信号端子と内部回路との間に、前記信号端子に印加される高電圧入力を接地端子または電源端子へ放電する保護回路を設けた半導体集積回路において、前記保護回路を前記信号端子から電気的に分離する手段を備えていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/82