特許
J-GLOBAL ID：200903063834986377
プロセス制御方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-330958
公開番号（公開出願番号）：特開平5-165534
出願日： 1991年12月13日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 より良好な制御パラメータにて制御性を高める。【構成】 このプロセス制御装置は、間接制御目標値として放射率累乗比Ku* ([ε1 のλi乗]/[ε2 のλj乗])を介して真の制御目標値(例えば膜厚d)を制御設定値とし、輻射センサー160の検出信号Si(S1 ,S2 ...)から得られる放射率累乗比の実測値Kuを制御量とする制御システムが構成されている。真の制御目標値に従って、プロセス操作量170が自動的に制御され、プロセス材料210の真の制御量(プロセス材料210の実際の膜厚)が真の制御目標値となるようにコントロールされる。
請求項（抜粋）：
プロセス材料が輻射エネルギーを放出するプロセスの制御方法であって、前記輻射エネルギーを異なった複数の波長で観測し、前記複数の波長の輻射エネルギーから放射率累乗比の実測値をもとめ、予め決められた真の制御目標値-放射率累乗比目標値の相関に基づいて、前記真の制御目標値に対応した放射率累乗比の間接制御目標値を換算し、前記間接制御目標値を制御設定値とし、前記実測値を制御量として前記プロセス材料のプロセスを自動制御することを特徴とするプロセス制御方法。
IPC (3件)：
G05D 23/27
, G01J 5/00
, G05B 11/36
