半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川澄茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-086912
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289652
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】半導体装置用テープキャリアにおけるソルダーレジスト下方のリード配線の銅の過剰溶解を防止すると共に、スズめっきのホイスカを抑制する。【解決手段】絶縁フィルム1上に接着剤層2を介して施された銅箔の配線パターン3上に、その端子部分を除く所定の位置にソルダーレジスト6を塗布した後、前記端子部分に、1回目のスズめっき処理として、厚さ0.01〜0.2μmの薄いスズめっき層を施し、加熱処理することにより、純スズ層4aと厚さ0.20μm以下のスズ-銅合金層5aを形成し、次いで、前記端子部分に、2回目のスズめっき処理として、純スズめっき層を0.15〜0.80μmの厚さで形成し、加熱処理することにより、厚さ0.15〜0.80μmの純スズ層4b及び厚さ0.20μm以上のスズ-銅合金層5bを形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁フィルム上に接着剤層を介して施された銅箔の配線パターン上に、その端子部分を除く所定の位置にソルダーレジストを塗布し、前記端子部分に、厚さ0.01〜0.2μmの薄いスズめっき層を形成し加熱処理することにより、純スズ層と厚さ0.20μm以下のスズ-銅合金層を形成し、更にその上に厚さ0.15〜0.80μmの純スズめっき層を形成したことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。

IPC (4件)：

H01L 21/60 311 , C23C 10/28 , C23C 18/31 , H05K 3/24

FI (5件)：

H01L 21/60 311 W , C23C 10/28 , C23C 18/31 Z , C23C 18/31 A , H05K 3/24 D

Fターム (34件)：

4K022AA02 , 4K022AA42 , 4K022BA21 , 4K022BA35 , 4K022CA08 , 4K022CA09 , 4K022DA01 , 4K022EA01 , 4K028CA01 , 4K028CB02 , 4K028CB03 , 4K028CC04 , 4K028CD01 , 5E343AA02 , 5E343AA18 , 5E343AA33 , 5E343BB09 , 5E343BB12 , 5E343BB14 , 5E343BB17 , 5E343BB24 , 5E343BB34 , 5E343BB52 , 5E343DD32 , 5E343ER11 , 5E343ER12 , 5E343GG01 , 5E343GG03 , 5E343GG06 , 5E343GG18 , 5F044MM03 , 5F044MM23 , 5F044MM25 , 5F044MM26

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