特許

J-GLOBAL ID：200903063849143821

受光装置及びその製造方法

発明者： 山本 正美
出願人/特許権者： 株式会社クボタ
代理人 (1件)： 北村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-274001
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116129
出願日： 1995年10月23日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 受光素子と光増幅素子との位置決めを容易に行えるようにしながら、しかも、特性ばらつきを抑制できる受光装置を提供する。【解決手段】 入射した光を電気信号に変換する受光素子PDと、入射した光の強度を増幅して前記受光素子PDに向けて出射する光増幅素子PAとが設けられた受光装置でおいてい、前記受光素子PDと前記光増幅素子PAとが、同一の半導体基板1上に同時に積層された複数の半導体層SLにて構成され、前記受光素子PDと前記光増幅素子PAとの間に、それらを電気的に絶縁する電気絶縁部EIが形成されている。

請求項（抜粋）：

入射した光を電気信号に変換する受光素子(PD)と、入射した光の強度を増幅して前記受光素子(PD)に向けて出射する光増幅素子(PA)とが設けられた受光装置であって、前記受光素子(PD)と前記光増幅素子(PA)とが、同一の半導体基板(1)上に同時に積層された複数の半導体層(SL)にて構成され、前記受光素子(PD)と前記光増幅素子(PA)との間に、それらを電気的に絶縁する電気絶縁部(EI)が形成されている受光装置。

IPC (2件)：

H01L 27/15 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/15 D ,  H01L 31/10 A