特許
J-GLOBAL ID：200903063850484748
半導体集積回路装置および製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-192853
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036712
出願日： 1991年08月01日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【構成】 ベース領域の近傍に浅いトレンチ・アイソレーションを形成するとともに、この浅いトレンチ・アイソレーションの底部の絶縁膜を除去してポリシリコンを充填することで、トレンチ・アイソレーション内部そのものをコレクタ引上げ口としてしまうようにした。【効果】 エミッタ領域とコレクタ引上げ口との間のリーク電流を防止するとともに、コレクタ引上げ口や分離領域の形成プロセスが簡単でしかも素子サイズを小さくすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に形成され周囲が深いトレンチ・アイソレーションからなる分離領域で囲まれてなる素子領域には、ベース領域とエミッタ領域が形成されているとともに、上記分離領域の内側には上記ベース領域に隣接して浅いトレンチ・アイソレーション構造のコレクタ引上げ口が形成されてなることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/76
