特許
J-GLOBAL ID:200903063851304867
露光方法およびマスク
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
志賀 正武 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-027920
公開番号(公開出願番号):特開2000-227663
出願日: 1999年02月04日
公開日(公表日): 2000年08月15日
要約:
【要約】【課題】 マークを用いてマスクと基板とをアライメントする際にも高精度な補正を可能にする。【解決手段】 マスクRのパターン領域17に露光光を照射して、パターン領域17に形成されたパターンを基板Pに露光する露光方法において、パターン領域17に前記パターンとは異なるマーク18を形成し、パターンとマーク18とに露光光を照射する。
請求項(抜粋):
マスクのパターン領域に露光光を照射して、前記パターン領域に形成されたパターンを基板に露光する露光方法において、前記パターン領域に前記パターンとは異なるマークを形成し、前記パターンと前記マークとに前記露光光を照射することを特徴とする露光方法。
IPC (3件):
G03F 7/22
, G03F 1/08
, G03F 9/00
FI (3件):
G03F 7/22 Z
, G03F 1/08 N
, G03F 9/00 Z
Fターム (8件):
2H095BA02
, 2H095BE03
, 2H095BE08
, 2H097KA03
, 2H097KA12
, 2H097KA13
, 2H097KA28
, 2H097LA12
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