特許
J-GLOBAL ID：200903063852770950
発光ダイオードの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-035272
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233832
出願日： 1998年02月17日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】発光素子からの発光を波長変換して発光可能な蛍光体を有する発光ダイオードの発光方位、色調ムラを改善した形成方法を提供するものである。【解決手段】基体上に配された発光素子と、発光素子上に発光素子からの発光波長の少なくとも一部を吸収し蛍光を発する蛍光体を配置してある発光ダイオードの形成方法である。特に、基体上に配された発光素子202と間隙を介して対向する帯電部211に正又は負に帯電させた蛍光体201を保持させる工程と、基体上に配された発光素子202と帯電部211との間に電圧を印加し、発光素子側を前記蛍光体の帯電と異なる負極又は正極にさせる工程を持つ。これにより蛍光体を発光素子上に配置させる発光ダイオードの形成方法である。
請求項（抜粋）：
基体上に配された発光素子と、該発光素子上に発光素子からの発光波長の少なくとも一部を吸収し蛍光を発する蛍光体を配置してある発光ダイオードの形成方法であって、前記基体上に配された発光素子(202)と間隙を介して対向する帯電部(211)に正又は負に帯電させた蛍光体(201)を保持する工程と、前記基体上に配された発光素子(202)と帯電部(211)との間に電圧を印加し、発光素子側を前記蛍光体の帯電と異なる負極又は正極にさせることにより、前記蛍光体を発光素子上に配置させる工程とを有することを特徴とする発光ダイオードの形成方法。
FI (2件)：
H01L 33/00 N
, H01L 33/00 C
