特許

J-GLOBAL ID：200903063854434346

薄膜の評価方法及び評価装置

発明者： 寺井 由佳
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-218774
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064967
出願日： 1996年08月20日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 基板上の評価用薄膜上に保護用薄膜を形成した薄膜の試料を標準試料として用いることにより、評価用薄膜の劣化を防ぎ、薄膜の正確な分析評価を行うことができる薄膜の評価方法を提供する。【解決手段】 基板1上に、分析評価の対象となる評価用薄膜2を形成し、さらにその上には、保護用薄膜3を形成する。この保護用薄膜3は、評価用薄膜2と比較すると経時的な化学、物理変化に強く、かつ含まれる元素は、評価用薄膜2が含有している成分の分析に影響を与えないものを選定している。

請求項（抜粋）：

基板上に分析評価の対象となる評価用薄膜を形成し、前記評価用薄膜上に保護用薄膜を形成した薄膜の試料を標準試料として用いることを特徴とする薄膜の評価方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 1/00 102

FI (3件)：

H01L 21/66 N ,  H01L 21/66 Q ,  G01N 1/00 102 B