不揮発性半導体記憶装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-280592
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129756
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】フローティングゲートとコントロールゲートを覆う酸化膜を1回の熱酸化により形成し、かつフローティングゲートのデータ保持特性を十分良好にする。【解決手段】半導体基板1上に、第1ゲート酸化膜3、フローティングゲート4、第2ゲート酸化膜5、コントロールゲート6を形成し、それらを1回の熱酸化により酸化膜7で覆った構造とし、その酸化膜7において、フローティングゲート4側壁の酸化膜7aの膜厚を38nm以上とした。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)上に第1、第2多結晶シリコン電極(4、6)が形成された2層電極構造を有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、前記半導体基板(1)上に、不純物がドープされた第1多結晶シリコン膜(14)を形成するとともに、この第1多結晶シリコン膜(14)上に、不純物がドープされた第2多結晶シリコン膜(15)を絶縁膜(5)を介して形成する工程と、前記第1多結晶シリコン膜(14)、絶縁膜(5)、および第2多結晶シリコン膜(15)をパターニングして前記第1、第2多結晶シリコン電極(4、6)を形成するとともに、1回の熱酸化によりそれらを酸化膜(7)で覆った構造とする工程とを有し、この酸化膜(7)を、前記第1多結晶シリコン電極(4)側壁での膜厚が38nm以上となるように形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-047672
特開昭63-273336

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