特許
J-GLOBAL ID：200903063856656702
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-231665
公開番号（公開出願番号）：特開平6-082852
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】本発明は、半導体装置に係り、特に高速、大容量情報伝達手段に用いられる光変調器及び半導体光スイッチに関し、吸収効率を向上させた半導体光スイッチとしての半導体装置を提供することを目的とする。【構成】n-InP基板上に形成されたn型光ガイド層4と、光ガイド層4上に形成されバリア層6a〜6fと活性層8a〜8eとが交互に積層された多重量子井戸構造10と、多重量子井戸構造10上に形成されたp型光ガイド層12とを備えた半導体装置において、活性層8a〜8eは、バリア層6a〜6fと格子不整合に形成され、活性層8a〜8e内の厚さ方向に格子不整合量及びポテンシャルがp側からn側に向かって増加するように構成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板上に形成された第1のガイド層と、前記第1のガイド層上に形成され、バリア層と活性層とが交互に積層された多重量子井戸と、前記多重量子井戸上に形成された第2のガイド層とを備えた半導体装置において、前記活性層は、前記バリア層と格子不整合に形成され、層内の厚さ方向に格子不整合量及びポテンシャルが変化するように形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
G02F 1/35
, G02B 6/12
, G02F 1/015 505
