特許

J-GLOBAL ID：200903063867638072

ポジ型フォトレジスト組成物

発明者： 水谷 一良 ,  安波 昭一郎
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-346316
公開番号（公開出願番号）：特開2001-166485
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体デバイスの製造において、高感度、高解像力を有し、しかも矩形形状を有するフォトレジストパターンを与えるなどのポジ型フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】 一般式(I)で示される繰り返し構造単位と、一般式(II)で示される繰り返し構造単位の両方を有する酸分解性ポリシロキサンを含有する。特に、上記の酸分解性ポリシロキサンと、露光により分解して酸を発生する化合物と、これらを共に溶解させることが可能な溶剤と、を含有するとよい。

請求項（抜粋）：

一般式(I)で示される繰り返し構造単位と、一般式(II)で示される繰り返し構造単位の両方を有する酸分解性ポリシロキサンを含有する事を特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】Lは-A-NHCO-、-A-NHCOO-、-A-NHCONH-から選択される少なくとも1つの2価の連結基を表す。Aは単結合、アルキレン基またはアリーレン基を表す。Xは単結合または2価の連結基を表す。Zは【化2】で表される基のいずれか一方を表す。Yは水素原子を表すか、または、Yはアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。Yが示す原子団は、直鎖状でもよく、分岐状でもよく、環状でもよい。Rは水素原子を表す。又は、Rは酸で分解する基を表す。lは1〜3の整数、mも1〜3の整数を表す。【化3】上記A’、X’、Z’はそれぞれ一般式(I)のA、X、Zが総称する範囲と同一の範囲を総称する。

IPC (3件)：

G03F 7/075 511 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/075 511 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (18件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA06 ,  2H025AA14 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025CB41 ,  2H025CB42 ,  2H025CC03 ,  2H025DA11 ,  2H025FA35